Компания Qualcomm несколько дней назад официально представила свой новый флагманский процессор Snapdragon 835, однако толком не рассказала о его даже самых основных технических характеристиках. Теперь они у нас появились.
Итак, чип Snapdragon 835 выйдет в следующем году и начнет использоваться во флагманских смартфонах в первой половине 2017 года. Ожидается, что одним из первых таких смартфонов станет Samsung Galaxy S8, который мы увидим на выставке MWC 2017. Процессор использует 10-нм технологию Samsung FinFet, оснащен 8 новыми ядрами и свежей графикой.
Snapdragon 835 (MSM 8998) использует обновленную 64-битную архитектуру Kryo 200 с 4 мощными и 4 маломощными ядрами. Их частота пока остается закрытой. Чип получил новую графику Adreno 540 и встроенный модуль LTE X16 с поддержкой LTE Cat.16. Благодаря этому процессор может загружать информацию со скоростью до 1 Гбит/с. Snapdragon 835 поддерживает 4-канальную память LPDDR4X-1866, а также флэш-накопители UFS 2.1.
Также стали известны характеристики и другого нового процессора Qualcomm Snapdragon 660. Этот чип будет строиться на 14-нм техпроцессе Samsung FinFet LPP и работать на частоте до 2,2 ГГц. Процессор поддерживает графику Adreno 512, модем X10, 2-канальную память LPDDR4X-1866 и накопители UFS 2.1. Snapdragon 660 появится на рынке во втором квартале 2017 года и будет в основном использоваться китайскими производителями для устройств среднего и выше среднего уровня.
