Qualcomm представила мощнейший 10-нм чип Snapdragon 835

1
177

snapdragon

Компания Qualcomm официально представила свой новый флагманский чипсет Snapdragon 835, которым будут оснащаться самые топовые смартфоны в 2017 году. Этот мобильный процессор станет преемником популярным моделям Snapdragon 820 и Snapdragon 821.

Пока не называется дата выхода Snapdragon 835 в массовое производство (хотя Qualcomm и Samsung уже начали производить чипы), но ожидается, что первые смартфоны на его базе можно будет увидеть уже на выставке MWC 2017, которая пройдет в Барселоне в феврале.

Итак, Snapdragon 835 построен на 10-нм технологическом процессе FinFET и будет производиться Samsung. Этот чип будет на 27% производительнее 14-нм Snapdragon 821 и в то же время потреблять на 40% меньше энергии.

5-for-5

Важной особенностью Snapdragon 835 является поддержка быстрой зарядки нового поколения Quick Charge 4.0. Всего 5 минут зарядки смартфона с таким чипом хватит на 5 часов его автономной работы. А 15-минутной зарядки хватит для того, чтобы заполнить средний аккумулятор от 0 до 50%.

По сравнению с предыдущей технологией Quick Charge 3.0, новая система зарядки на 20% быстрее и на 30% более эффективна. Новая итерация может работать через USB Type-C и USB-PD (Power Delivery) и имеет повышенный уровень безопасности от перегрева.

  • Anatoliy Marinin

    XIAOMI ЖДЕМС ОТ ВАС МОЩНЕЙШЕГО ГАДЖЕТА!