Новый чип Snapdragon 835 от Qualcomm будет использоваться в главных флагманских смартфонах будущего года. Вчера компания рассказала о том, что этот процессор попадет в фокус на предстоящей выставке CES 2017, которая состоится в начале января. По всей видимости, более подробно об этом чипсете мы узнаем именно на шоу в Лас-Вегасе. Однако уже сейчас начинают появляться результаты тестирования Snapdragon 835.
Snapdragon 835 засветился в популярном тесте производительности GeekBench. Этот 8-ядерный чип использовался в смартфоне под кодовым названием Essential FIH-PM1 с частотой 1,95 ГГц. Остальная начинка телефона включала 4 гигабайта оперативной памяти и систему Android Nougat 7.0.
Девайс показал 1844 балла в одноядерном режиме и 5426 баллов в многоядерном. Эти показатели не выглядят впечатляющими. К примеру, OnePlus 3T (с процессором Snapdragon 821) и Huawei Mate 9 (Kirin 960) демонстрируют в одноядерном тесте более серьезные результаты, а в мультиядерном аппарат от Huawei на 1000 пунктов опередил загадочный девайс со Snapdragon 835.
Однако Snapdragon 835 показывает рекордные показатели по работе с памятью (задержка и пропускная способность) и в тесте работал откровенно не на полную мощь.
