Компания Samsung объявила о старте производственного цикла новых чипов оперативной мобильной памяти на 8 ГБ LPDDR4. Первые поставки для коммерческой продажи ожидаются в 2015 году. Данное сообщение заслуживает особого внимания по ряду особых причин.
Во-первых, одной из важнейших опций современного мобильного девайса является система и элемент питания. Новая память обладает 20-нм технологическим процессом, что сократило значительно энергопотребление чипа. Это позволит значительно снизить энергопотребление в целом и увеличить автономное время работы устройства.
Во-вторых, новая мобильная оперативная память будет иметь высокое быстродействие – 3,2 ГГц в режиме разгона. Память обладает высокой пропускной способностью 25,6 ГБ\с и имеет двухканальный режим. Это в два раза больше, чем у поколения DDR3. Аналитики прогнозируют, что частотные показатели нового LPDDR4 будут расти значительно быстрее. Каналы пропускной способности тоже будут увеличиваться. Это даст рост производительности планшетов, смартфонов и нового поколения энергоэффективных и тонких ультрабуков.
