Еще несколько лет назад 4 и 8 гигабайт встроенной памяти для смартфонов казались нормой. Производители предлагали хранить данные в большей степени на карточках памяти. Однако сейчас выходит все больше устройств с объемом уже встроенной памяти, сравнимым с тем, который используется в настольных компьютерах. Флагманские модели выпускаются в вариантах с накопителями на 256 гигабайт. И это не предел — Samsung анонсировала старт производства флэш-памяти для смартфонов будущего поколения объемом 512 гигабайт.
Новая память формата eUFS представляет собой чип V-NAND, который позволит преодолеть все ограничения, которые были связаны с использованием памяти текущего формата, без необходимости установки карты памяти. Накопитель использует 64 слоя вместо 48 у eUFS на 256 гигабайт. Также компания поработала над энергоэффективностью и увеличением производительности памяти. Чип-контроллер помогает увеличить скорость передачи данных логических блоков в физические. Скорость считывания теперь составляет 860 МБ/с, а записи — 255 МБ/с.
Samsung обещает повышение производительности новой памяти до 400 раз по сравнению с обычными карточками памяти. «Пользователи смогут насладиться беспрерывной работой с мультимедиа, поиском файлов и загрузкой видео в режиме работы с несколькими окнами».
Пока нет информации о том, когда выйдет такая память. Возможно, вряд ли мы увидим ее и в Galaxy S9.
