Компания Samsung стартовала массовое производство 10-нм 8-гигабитных чипов памяти DDR4 DRAM. Новое поколение оперативки на 10% быстрее 15% энергоэффективнее предыдущего.
Новый модуль имеет производительность 3600 Mbps по сравнению с 3200 Mbps прошлой разработки. Это значит, что новый модуль станет хорошей основой для использования в смартфонах, ноутбуках, компьютерах и других устройствах.
