В прошлом месяце компания Samsung представила новый встроенный накопитель для смартфонов объемом 256 гигабайт. Ожидается, что Samsung Galaxy Note 6 выйдет в модификации и с таким объемом памяти. Стало известно, что новый модуль уже поступил в производство.
Новый накопитель использует стандарт UFS 2.0, который в 2 раза быстрее предыдущей версии памяти. Накопитель способен считывать информацию со скоростью 850 МБ/с и записывать данные со скоростью 250 МБ/с. Память, по словам южнокорейцев, сможет отлично и плавно работать с контентом высочайшего разрешения, а также в сочетании с USB 3.0 выдавать просто отличные показатели передачи данных с девайса на девайс.
Новые чипы памяти меньше по своим размерам, чем карты памяти microSD. Это позволяет проще размещать накопители внутри девайсов с разным дизайном.
Пока Samsung не говорит о том, какой из девайсов первым получит встроенную память объемом 256 гигабайт. Ожидается, что этим смартфоном станет модель Galaxy Note 6, которая должна появиться позже в этом году.
