Мемристоры компании HP могут в недалеком будущем заменить память DRAM и флэш

0
5

Исследователи из компании HP сообщили, что компания может начать коммерческое производство резистивной памяти (мемристоров) к середине 2013 года, предоставляя их альтернативой памяти DRAM и флэш-памяти. Компания построила первый прототип мемристора несколько лет назад, но ученые сформировали теорию мемристоров еще в 1971 году.

Мемристором является электронный компонент, который стоит в одном ряду с резисторами, конденсаторами, катушками индуктивности и дросселями. Теперь ученые с HP опубликовали документ о новых исследованиях в этой технологии.

мемристоры

Если не вдаваться слишком глубоко в науку, мемристоры — пассивные элементы, которые резко меняют свое сопротивление при протекании через них тока определенной величины.

Вот причины, по которым мемристоры могут быть интересны производителям электроники:

На их основе можно создать оперативную память, которая будет сохранять информацию после выключения питания.

Мемристоры могут работать в 10 раз быстрее и использовать в 10 раз меньше энергии, чем флэш-память.

Флэш-память может хранить данные при выключенном питании, но она имеет меньшую производительность. Память DRAM является довольно быстрой, но она требует постоянного наличия питания, иначе информация теряется. Поэтому мемристорам сулят такие большие перспективы в будущем, ведь они сочетают в себе все преимущества обеих типов памяти, но при этом не имеют их недостатков.

Это позволит сохранять заряд батареи мобильных устройств, и сделает переход в «режим сна» и выход из него моментальным, ведь теперь не требуется записывать содержимое оперативной памяти на жесткий диск, а затем считывать его после включения обратно в оперативную память.